应对“更高”存储器件的ALD填充技术
发布时间：2021-04-02 17:16:49
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对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制作商来说，高深宽比杂乱架构下的填隙一向是一大难题。
对此，泛林集团副总裁兼电介质原子层堆积(ALD)产品总经理Aaron Fellis介绍了Striker®FE增强型ALD渠道将如何以其高功能推进技能路线图的开展。
堆积技能是推进存储器材进步的要害要素。但跟着3D NAND仓库的呈现，现有填充办法的局限性已开端凸显。
泛林集团去年推出的Striker®FE增强版原子层堆积(ALD)渠道可解决3D NAND和DRAM范畴的半导体制作难题。该渠道选用了被称为“ICEFill”的先进电介质填充技能，可用于先进节点下的3D NAND和DRAM架构以及逻辑器材。泛林集团副总裁兼电介质ALD产品总经理Aaron Fellis指出，填充相关技能的需求一向存在，但原有的那些办法已不能满意新的需求，尤其是3D NAND仓库越来越高。他表明：“除了堆叠层数十分高以外，为了能整合不同步骤，还要经过刻蚀来满意不同的特征需求。我们需要用介电资料重新进行填充，这种资料中常见的则是氧化硅。”
Fellis指出，化学气相堆积、扩散/熔炉和旋涂工艺等半导体制作职业一向以来运用的传统填充办法总要在质量、缩短率和填充率之间权衡取舍，因此已无法满意3D NAND的生产需求，“这些技能往往会缩短并导致构建和设计的实际结构变形”。
由于稳定、能耐受各种温度且具备杰出的电功能，氧化硅仍然是填隙的资料，但其堆积技能已经有了改变。以泛林集团的Striker ICEFill为例，该方案选用泛林独有的外表改性技能，可以完成高选择性自下而上的无缝填充，并一起能保持原子层堆积(ALD)固有的成膜质量。
Fellis表明：“规范ALD技能能大幅提高堆积后的成膜质量，这样就解决了缩短的问题。”
选用ICEFill先进电介质填隙技能的Striker®FE增强版原子层堆积渠道可用于3D NAND和DRAM架构的填充
在Fellis看来，即便能经过高密度资料完成杰出的内部机械完整性，规范ALD仍或许导致某些器材中呈现空隙，并且其延展性或许呈现问题。而选用自下而上填充的ICEFill则能完成十分高质量的内部成膜且不会缩短。“它的可延展性十分高。”他表明，这意味着可用其满意任何步骤的填充需求，包含用于提高机械强度和电功能等，“在所制作的器材内部某一特定空隙中，填充资料都具有一致的特性。”
用于存储器材的堆积技能有自己的路线图，而推进其开展的各种存储技能进步也一起决定了现有技能的“保质期”，Fellis表明，“技能将向更高和更小开展”。预料到3D NAND仓库增高带来的挑战，泛林集团早已开端着手改进其Striker产品。他说：“跟着客户按自己的路线图开展，我们看到他们需要提高成膜功能的需求。堆叠依然是立异的推进力。”
美国半导体工业调查公司VLSI Research总裁Risto Puhakka表明，作为ALD技能的主导者，泛林集团的技能需求反映了存储职业的遍及需求，即经过提高存储密度来满意人工智能等使用的高存储需求，但一起还要防止成本提高。而3D NAND等存储器材跟着仓库高度不断提高，对填充技能也提出了更高的要求。Puhakka说：“仓库相关的制作难题越来越多，芯片制作商也会忧虑花费过高的问题。”在这种情况下，继续运用十分了解的资料(例如氧化硅)有助于更好地猜测成本。
