应对“更高”存储器件的ALD填充技术
发布时间：2021-03-01 13:57:13 点击次数：381
对于3DNAND，dram和逻辑芯片制造商来说，在高纵横比的繁杂架构下填补空白始终是一个大问题。
作为回应，泛林集团vice总裁兼电介质原子层沉积总经理（ALD）产品AaronFellis介绍了striker®fe增强的ALD平台如何以其较高的性能促进技术路线图的发展表现。
沉积技术是促进存储装置发展的关键因素。但是，随着3DNAND堆栈的出现，现有填充方法的局限性开始凸显。
去年泛林集团推出的striker®fe增强原子层沉积（ALD）平台可以化解3DNAND和DRAM领域的半导体制造问题。该平台使用叫作“ICEFill”的高级介电填充技术，该技术可用于高级节点下的3DNAND和DRAM体系构造和逻辑装置。泛林集团vp兼电介质ALD产品经理AaronFellis指出，对灌装相关技术的需求始终存在，但原本的方法已不能满足新的需求，尤为是3DNAND堆栈愈加高。他说：“除了非常多的堆叠层，为了能够集成不同的步骤，还须要展开蚀刻以满足不同的机能要求。我们需再次填充介电材料。材料是氧化硅。”
Fellis指出半导体制造行业中使用的传统填充方法（例如化学气相沉积，散播/熔炉和旋涂工艺）须要权衡质量，收缩率和填充率，因此不再满足3Dnz@的生产要求，“这些技术趋向缩小，并造成具体的构造构造和设计变形”。
由于氧化硅安定，可以背负各种温度并具不错的电性能，因此它依然是一种填隙材料，但是其沉积技术早已时有发生了变化。以泛林集团的StrikerICEFill为例。该解决方案使用了fanlin与众不同的表面改性技术，可以实现高度选择性的自底向上无缝填充，同时维持原子层沉积（ALD）固有的薄膜质量。
Fellis说：“规格的ALD技术可以大大提高沉积后的薄膜质量，从而化解收缩问题。”
使用ICEFill先进的介电间隙填充技术的原子层沉积平台的Striker®fe增强版可用于填充3DNAND和DRAM体系结构
Fellis认为，即使使用高密度材料可以实现不错的内部机器完整性，基准ALD仍可能会在某些装置中导致间隙，并且其延展性可能会出现问题。自底向上填充的ICEFill可以实现非常高质量的内部成膜而不会收缩。“它的延展性非常高。”他说，这意味着它可以满足任何步骤的填充要求，包括提高机器强度和电气性能。“在制造的装置内部的特定间隙中，填充材料均具备统一的特点。”
用于存储装置的沉积技术有其自己的路线图，有助于其发展的各种存储技术的进步也决定了现有技术的“保质期”。Fellis说，“这项技术将发展得愈发小”。预期3DNAND堆栈增高带来的挑战，泛林集团早已开始改良其striker产品。他说：“随着客户按照自己的路线图发展，我们见到他们需提高成膜性能。堆叠依然是创新的动力。”
美国半导体产业调查公司VLSI ResearchceoRisto Puhakka表示，作为ALD技术的领导，泛林集团的技术要求体现了存储行业的整体需求，即通过满足人工智能和其他应用程序对存储的高要求。增加存储密度，但同时也要避免成本增加。随着3D的高度，诸如NAND堆栈之类的存储装置不停改良，并且对填充技术提出了更高的要求。Puhakka表示：“与堆栈相关的制造问题正在增加，芯片制造商也将顾虑成本过高的问题。”在这种状况下，继续使用非常熟识的材料（例如氧化硅）有助于更好地预测成本
