Nexperia推出耐用型AEC-Q101 MOSFET提供可靠重复雪崩性能
发布时间：2020-12-24 10:37:28 点击次数：198
奈梅亨，2020年12月16日：半导体基本组件领域的高容量生产专家Nexperia今天发表了一个新的重复雪崩专用AEC-Q101认证（FET）产品组合，专注于电源系统应用。早就经历了十亿次雪崩循环，可用以汽车感应负载控制，例如电磁阀和执行器。该技术除了提供更快的关闭时间（最多4倍）之外，还可以通过减少数量来简化设计ASFET。
Nexperia推出结实的AEC-Q101MOSFET以提供可靠和可重复的雪崩性能
在汽车动力总成的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源解决方案一般而言环绕升压，续流二极管或有源钳位拓扑构建。第四个选择是重复采用MOSFET的雪崩设计。该设计具与有源钳位方案相同的效率，可以扫除电感负载电流在其关断期间的能量，从而扫除了对二极管和其他器件的需要，从而大大减少了器件数量并减少了此外，该设计还可以赞同更快的关闭时间，从而提高了电磁阀和继电器等机电装置的可靠性。通常，该设计只能用到基于过时平面技术的装置。Nexperia汽车repeatavalancheASFET产品系列是专门为化解此疑问而开发的，可以提供可靠的重复雪崩功能，该功能早已过数十亿次测试此外，与升压拓扑相比之下，该产品系列可减少多达15板载器件，并将器件引脚尺寸效率提高多达30％，从而简化了设计。
新的MOSFET全然相符175°c下的AEC-Q101automotive基准，并提供40V和60v选择。典型的RDS（on）额定值为12.5mω至55mω。所有装置均用到该公司节省空间的LFPAK56D（双通道Power-SO8）铜夹片封装技术。该封装结实可靠，并配有鸥形翼销具备出色的板级可靠性，并与自动光学检查（AOI）兼容，可提供出色的可制造性。
Nexperia产品经理RichardOgden说明说：“一般而言，想要实现重复雪崩拓扑的工程师须要仰赖基于过时的平面半导体技术的器件。通过提供基于高性能硅构造的可靠的可重复雪崩功能，汽车级器件可以增加旨在运用其功能优势而设计的动力总成的数量。”
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Nexperia在2020年初推出了专用于FET（ASFET）的系列，旨在满足行业对大规模性能的需要。ASFET的MOSFET参数针对特定应用展开了优化。可以通过专注于特定应用来实现。其他ASFET系列适用于热插拔，以太网供电（PoE），电池组保护和电机控制应用。有关更多详尽信息，请访问www.nexperia.com/asfets
关于Nexperia
Nexperia是半导体基本元件生产领域的大容量生产专家，其产品普遍用以世界各种电子设计。该公司充沛的产品组合包括二极管双极性晶体管，ESD保护器件，MOSFETdevices，氮化镓场效应晶体管（GaNFET）以及模拟ic和逻辑IC。Nexperia总部座落荷兰奈梅亨，每年可交付超过900亿种产品，并且产品满足严苛的要求其产品在效率（工艺，尺寸，功率和性能等）方面已被业界普遍肯定，并兼具先进的小型封装技术，可有效性节省功率和空间。
凭借数十年的专业经验，Nexperia继续为世界的高质量公司提供高效的产品和服务，并在亚洲，欧洲和美国。Nexperia持有超过12,000名职工。闻泰科技股份有限公司（600745.ss）的公司，享有大量知识产权，并得到了IATF16949，ISO9001，ISO14001和OHSAS18001认证。
