突破-兆易创新打造全国产化24nm SPI NAND Flash
发布时间：2020-10-19 10:05:51 点击次数：647
行业领先者 先的半导体器件供应商兆易创意GigaDevice（股票代码603986）今天宣告，已正式推出4GbSPINANDFlash产品-GD5F4GM5系列的国家生产和化学24nm工艺节点。该系列产品实现了从设计，开发，制造到封装和测试的所有环节的纯粹本地化和自治，并已成功批量生产，这标记着SLCNANDFlash国产产品已正式进入24nm先进工艺技术时期。这项创新技术产品有助于更进一步充沛兆易创新的存储产品线，并为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案。 如今，各种电子装置的功用变得越发繁复，并且在一些新兴甚至连贯的应用程序中都需预安装嵌入式操作系统。
对存储容量的需求在不停增长。高可靠性和大容量代码存储需求已成为业界普遍的需求。SLCNAND在市场上既具成本效用，又可以为客户提供更大的容量选择。在此基石上，兆易创新在保证高可靠性的同时，考虑到容量和性能的提高，并更好地服务于代码存储领域，成功推出了24nmspinandflash——gd5f4gm5，并致力于提供5g，物联网，网通，安全性和顾客应用场面（包括可穿戴设备）提供了高容量，经济高效的解决方案。 目前GD5F4GM5系列已全盘量产，代表了国内SPINANDFlash工艺技术的最高量产水准。该产品使用串行SPI接口，引脚数目少，封装大小小。在集成存储阵列和控制器时，它还有着内部ECC纠错算法。擦除和写入次数可以达到50,000次，从而提高了可靠性。
同时延长产品寿命。 与上一代GD5F4GM5产品相比之下，NAND系列巨大地提高了读写速度。最大时钟频率达到120mhz，数据吞吐量可以达到480mbit/s，并支持1.8v/3.3v电源电压，可以满足客户的需求。对不同电源电压的需求；同时提供WSON8，TFBGA24和其他包装选择。 GD5F4GM5系列产品功用 兼容1.8v/3.3v电源电压 support4KBCacherandom阅读 四channelSPI接口，QuadIO数据吞吐量高达480mbit/s 内置8bitECC纠错技术 支持规格WSON8，TFBGA24程序包 支持工业级-40〜85℃温度范围
